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88E6218 希望对在研究2305硬改2805的朋友有帮助

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发表于 2007-4-14 19:35:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
先声明是转贴的
介绍美国Marvell公司生产的SOHO级网络通信微处理器芯片88E6218的主要性能特点,并采用88E6218芯片设计SOHO网络开发平台。该平台具有高性能、低成本等优点,可方便用于SOHO网络通信产品的快速开发,具有较好的应用前景。着重分析平台的建立过程以及平台存储器和网络端口的电路设计方法。
随着互连网的发展,PC用户大量增加,办公SOHO(Small Office,Home Office)化逐渐成为可能。现在市场上已经出现了许多面向SOHO应用的网络通信产品。许多芯片制造厂商纷纷推出了自己的面向SOH0应用的嵌入式网络微处理器芯片。美国Marvell公司生产的88E6218芯片是其中的一种。基于这个芯片,可以搭建一个低成本、高性能的SOH0网络开发平台。通过在上层移植不同软件,可以用于不同的SOHO网络通信产品,如SOHO路由器、SOHO安全网关、SOHO交换机等等。本文介绍88E6218芯片的主要特点,给出基于88E6218的SCHO网络开发平台设计方法。
88E6218是美国Marvell公司(宽带通信半导体公司)生产的面向SOHO应用的一款高性价比的嵌入式网络微处理器。该处理器
具有以下一些主要特点:
    ◆芯片内嵌ARM9E的CPU核,采用32位RISC体系,带有DSP指令扩展,最高工作频率可达150 MHz,片内有8 KB指令Cache、8 KB数据Cackc和8 KB数据RAM。
    ◆芯片集成SDRAM和Flash存储控制器,支持与其他具有存储器地址映射的外设相连接,包括DSP。
    ◆SDRAM接口可以是16位(最大寻址深度32 MB)或32位(最大寻址深度64 MB)宽度。Flash接口可以是8位、16位或32位,最大寻址深度64 MB。
    ◆芯片有内部DMA控制器、看门狗定时器、UART串行接口、JTAG调试口以及4个外部片选引脚BOOTCS、M_CSO、M_CS1、M_CS2。
    ◆芯片带有5个支持IEEE802.3的MAC(Media ACccss Layer,媒体访问层)+PHY(Physical Layer,物理层)接口(Port0~Port4);1个多功能网络接口(Port6)。该接口可配置为RMII(简化媒体独立接口)、MII(媒体独立接口)或SNI(业务接点接口)模式(支持200 Mbps全双工,可直接与交换机或无线局域网互连);1个内部双倍速MII接口(Port5,支持200 Mbps全双工,可直接连接交换端口到CPU内部的MAC)。
    ◆芯片提供基于QoS机制的快速以太网交换功能,内部采用拥有专利技术的UniMAC结构,如图2所示,在88E6218内部的CPU与多个快速以太网交换口之间形成高效的网络接口。
    ◆一款低功耗的CMOS芯片,可提供216条引脚的LQFP封装。
    综上所述,88E6218内部功能强,外设接口丰富,可以提供一个单芯片的S0HO路由器/安全网关解决方案
1)Flash存储器接口电路
    Flash存储器具有低功耗、大容量、可整片或分扇区快速烧写、擦除,掉电后信息不丢失等特点,在各种嵌入式系统中得到广泛应用。本系统的Flash存储器包括两部分:一部分是用于存放系统启动程序的Boot Flash,其功能包括对平台硬件的初始化和操作系统的引导等.考虑到启动程序一般容量不大,这里选用了SST39SF040芯片,单片提供8位数据宽度、512 KB存储空间。88E6218提供4个片选引脚,其中BOOTCS专门用于Boot Flash存储器的片选,直接与SST39SF040的CE相连;SST39SF040地址总线A[0:18]与88E6218的地址总线M_A[0:18]相连;8位数据总线D[0:7]与88E6218的低8位数据总线M_D[0:7]相连。另一部分是StrataFlash存储器,用于存放操作系统和各种应用程序,在大多数应用系统中,选用1片16位的Flash存储器芯片(单片容量有1 MB、2 MB、4 MB、8 MB等)构建16位的Flash存储系统已经足够,因此这里选用了Intel的28F320J3芯片,单片提供16位数据宽度、4 MB的存储空间,将88E6218的M_CS2分配用于StrataFlash存储器的片选,直接与28F320J3的CE0相连;88E6218输出使能端OE接28F320J3的OE;写使能端WE接28F320J3的WE;将28F320J3模式选择引脚BYTE上拉,A0悬空,使28F320J3工作在16位数据模式;28F320J3地址总线A[1:21]与88E6218的地址总线M_A[O:20]相连;16位数据总线D[0:15]与88E6218的低16位数据总线M_D[0:15]相连。具体电路连接如图4所示。由于考虑到88E6218的带负载能力,所以把地址、数据总线与部分控制信号线通过一级驱动后再与目标Flash存储器相连。
2)SDRAM接口电路
    与Flash存储器相比较,SDRAM(Synchronous Dynamic Random ACCeSS Memory,同步动态随机存储器)虽然不具有掉电保持数据的特性,但其存取速度大大高于Flash存储器,在系统中主要用作程序的运行空间。本系统中,考虑到88E6218的内部存储控制器支持单片SDRAM的最大容量为128 MB,所以选用了现代的HY57V281620,它的存储容量为4组×2M×16位(16MB),工作电压为单3.3 V±O.3 V,16位数据宽度。根据系统需求,可构建16位或32位的SDRAM存储器系统,但为充分发挥32位CPU的数据处理能力,大多数系统采用32位的SDRAM存储器系统。本系统选用两片HY57V281620并联构建32位的SDRAM存储器系统,共32 MB的SDRAM空间,可满足嵌入式操作系统及各种相对较复杂的功能运行要求。图5为两片HY57V281620并联构建32位SDRAM存储器系统的框图,其中一片为高16位,另一片为低16位,将88E6218的M_CS0分配用于 SDRAM 存储器的片选, 直接与 2 片HY57V281620HCT的CS相连;M_CS1保留,可根据需要利用它将SDRAM存储器容量扩展到64M存储空间。2片HY57V281620的芯片时钟输入端CLK接88E6218的
M_CLK_OUT端;2片HY57V281620的时钟使能CKE端直接上拉;2片HY57V281620的行地址锁存RAS、列地址锁存CAS、写使能端WE分别接88E6218的RAS端、CAS端、WE端,2片HY57V281620的地址总线A[0:11]接88E6218的地址总线M_A[0:11];2片HY57V281620的组地址选择BAO、BA1,接88E6218的地址总线M_Al3、M_A14;高16位HY57V281620芯片的数据总线D[0:15]接88E6218数据总线的高16位M_D[16:31],数据I/O屏蔽引脚UDQM、LDQM分别接88E6218的DQM3、DQM2;低16位HY57V281620芯片的D[0:15]接88E6218数据总线的低16位M_D[O:l5],数据I/O屏蔽引脚UDQM、LDQM分别接88E6218的DQM1、DQM0。具体电路连接如图5所示。
远贴地址:
http://www.yzxcnc.com/article/art_112_3371.htm
发表于 2009-5-31 11:20:44 | 显示全部楼层
没引脚图!这个介绍没什么用
发表于 2009-6-6 18:27:38 | 显示全部楼层
这个我以前也发过,有图不知什么原因帖子被删。
发表于 2009-9-25 11:30:34 | 显示全部楼层
3# sdam269 CPU: Jtag: 44-----------Trst 45-----------TMS arm 46-----------TDI 47-----------TCK 49-----------TDO CPU: TTL: 53-----------TX 52-----------RX VCC和GND都知道,就近连接,Vcc是3.3V
发表于 2009-9-25 11:31:10 | 显示全部楼层
3# sdam269 CPU: Jtag: 44-----------Trst 45-----------TMS arm 46-----------TDI 47-----------TCK 49-----------TDO CPU: TTL: 53-----------TX 52-----------RX VCC和GND都知道,就近连接,Vcc是3.3V
CPU:                   Jtag:
44-----------Trst
45-----------TMS arm
46-----------TDI
47-----------TCK
49-----------TDO


CPU:           TTL:
53-----------TX
52-----------RX

VCC和GND都知道,就近连接,Vcc是3.3V
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