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DDR SDRAM 内存芯片的新编号 HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | - | XX | X | A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | - | L | M |
A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。 C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。 D字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16；32代表x32。 F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。 G字段表示电气接口。1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装(Hynix)；K代表Stack封装(M&T)；J代表Stack封装(其它)。 K字段表示内存芯片的封装村料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。 L字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表18MHz；6代表166MHz;D4代表DDR400；D5代表DDR533；J代表DDR333；M代表DDR266 2-2-2；代表DDR266A；H代表DDR266B；L代表DDR200。 M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。 | 
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发表于 2010-5-13 12:15:05
