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发表于 2008-7-31 10:24:59
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整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 6 z% E) G! Y" @
& j) {0 B6 A( r, G2 w
颗粒编号解释如下： , c' C' T4 c% ~2 v1 B1 V
, k/ ~2 s4 ?6 r. L6 |1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
9 }3 Y9 _ g1 g) T! j1 e, H2 k3 }( i$ ^$ L7 ^1 H* j- G' r
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） - ~6 `$ Z/ \/ B+ [' S
3 p5 _* i7 I$ {$ d
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
( {0 f6 X. a( c) W& o
5 e$ t, B: g u0 t) A% H4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5 ~& b6 M1 y+ p8 a, J2 @+ J" |0 u3 p4 ]( G+ p/ @) l
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
% Q& D, H% Y1 G# n t) |1 G; [- U( J0 B/ U# o x* ~" K
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
u0 g, H, o- P+ \8 S3 l
3 z8 M, a3 F/ F7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） , @' F9 i2 I$ _% S5 q
& E: y) m" W! }7 |7 ?. [4 b! U
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） % w1 ?+ X1 f+ Z V
" c' a4 c/ T, U) y# r0 Q
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 5 v; f( Y I6 P+ r! _/ R9 }" r" A
; Y; ^4 k. Q5 M0 i, ?# k
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） & t! s3 m/ S# ^! J! E
4 s) ^2 W+ i @6 v) S2 z3 l$ i8 X11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 3 U: u' {+ ~9 s1 k2 r
& d. U/ `4 N {) U, x' |2 @12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
" p3 Q1 {1 X+ g& I
% D( n6 i: a" q! M" f2 v. n, h# q13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） , z+ a+ |4 h/ @4 |5 w: _; I' B- }
5 ?8 \* V/ Y2 i6 u1 L$ k q! J! l14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
# n' d; U+ l1 k) _0 B8 E
/ { T% S8 Z' W, L& ]由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 % X/ o8 `+ J0 i, E
" d( ~1 o+ |2 m) r
常见SDRAM 编号识别
2 U4 W( [1 Y; f' w1 n! C4 s" E0 y) p# f7 K9 I8 [0 W2 i. @( f+ o
维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
1 D8 R+ h, y9 l" e' }- A(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
$ R) o: B' k) T( F. d▲ HY HYUNDAI ------- 现代
# c% z2 l" G4 q$ e7 o▲ MT Micron ------- 美光
2 r* |0 L2 g# ]8 B' ^/ N▲ GM LG-Semicon $ y5 D5 s$ {" U Z. {
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 2 O8 c) w2 o8 C+ X6 W" {- i
▲ HM Hitachi ------ 日立 7 h# d- d$ E7 g3 H
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
/ T, j! @$ O) w: F: W▲ TC Toshiba ------ 东芝
' M7 u1 N8 D& L) F3 | I▲ KM Samsung ------ 三星
" x2 t; S, T, @$ Z# J4 f. a6 K. d▲ KS KINGMAX ------ 胜创
& \) X' H+ b7 t: f(2)内存芯片速度编号解释如下:
2 b/ e6 G' e3 L, O★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. 1 a' |- H: T9 N* b" e5 _9 n% }
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
5 e7 v x2 K+ \# N: s! f* R6 Z★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. 5 R$ @: G G8 j' Q! Q1 f0 m
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ( }. M( t) z' @0 p2 U2 |9 ^
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
# p' V$ C1 m, {7 P# c( j& y(3) 编 号 形 式
- B+ b0 Z5 L; A6 S; o6 l4 nHY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 8 m, R& O- H3 }* a7 f" c
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. 7 ^ e' v1 ]% A! P A; z5 C
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
- n9 j" ] p: H3 |CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
: y/ ]+ v2 h6 H2 M9 A/ H6 idd表示带宽。 $ I* b3 l5 A' k4 B; k5 F7 C8 P
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
# K" [4 a0 |4 |) e/ R c' ^g表示版本号，B—第三代。 * i' `9 u x9 g/ s$ D" `! ?
h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
3 ?2 b1 s: \0 r$ [, K& T8 ^ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
7 p6 z7 B# b9 a( A/ b+ S1 x2 zjj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; / h/ d( U+ `" T% ^; L
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) * X+ ~% i r `) f& t" Q- `% ]. p
10—100MHZ(非PC100)。 ' L7 J; |7 D& P' q
例：1） HY57V651620B TC-75
1 Y/ k* a( Z) Y! D" S按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
7 Z) d& g( m$ ?# M! S, |2) HY57V653220B TC-7 : y3 ?' y- m$ s# J
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ ! J& B% L& ]" _' ^
3 v5 m8 |9 A+ V1 h
0 h- C+ c; m# |6 i$ |8 X( G- ^" M/ S ?1 G( {6 i1 k% ^9 d8 u
全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：
2 U: j8 I- F: F! r8 a( ?2 [* E0 O) u, j6 O. C
序号 品牌 国家/地区 标识 备注
6 u8 z7 _: w% Q1 三星 韩国 SAMSUNG 1 m9 ?+ F [5 `
2 现代 韩国 HY - T3 [& @ q& n# i) w; G/ L% B
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并
, G4 M1 l2 w R8 y& x) k; ^4 迈克龙 美国 MT
% [3 v+ _. }1 C5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 3 z* ^/ W- w. b, [! G) s$ N
6 日电 日本 NEC % p( k! \ i2 [, q! z
7 日立 日本 HITACHI - D) t0 {# S) |0 `
8 冲电气 日本 OKI
" m2 L7 d% ?8 F9 东芝 日本 TOSHIBA
1 h2 @& i4 a3 S# b10 富士通 日本 F
4 a" ? D- t: d. l( E& m11 西门子 德国 SIEMENS * r: N5 ?2 h# B
12 联华 台湾 UMC
) K* H. l: \: f13 南亚 台湾 NANYA
, W; U+ n: Z3 y* z( K z/ w' k' r14 茂矽 台湾 MOSEI ) s/ _* [7 G* U' l5 k' g7 B& y: w
$ H. X& Y- ^; ]; Q7 m/ s
说真的,看完了,我也不太懂,那不是有16M的内存了. |
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粤公网安备44152102000001号 
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