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磊科2305改2805思路探讨

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发表于 2007-4-5 19:40:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
2305与2805相比,主板及cpu是完全一样的,只是内存大小、闪存大小和固件程序不同。/ r+ ~1 l/ E! I
改装思路:
3 G( L# u1 f$ K  S5 k0 F1 ~1、找正版2805把闪存用热风枪吹下来,用编程器把2805固件读出来。(如果网上有朋友 提供则省去这一步)。9 Q6 P6 e8 W& _+ f1 y% C' g
2、买一个型号和2805一样的闪存芯片(一般是空白的),把刚才读出来的固件写进去。1 D: g4 k) v; v% N: B: T* X/ ?
3、买一个型号和2805一样的内存。- e( a; m- C3 L5 F' P
4、把2305的闪存芯片和内存用热风枪吹下来。/ s7 P( X9 K0 C9 r( d1 _% @5 I
5、把买来的内存和刚才写好的闪存芯片焊到2305上。
7 }$ V  r$ Z: L# f* S; q6 s这样理论上就应该是完全版2805,与官方正版2805应该一样。
- ]% ^8 D# i) G5 B0 `- L2305内存型号:     MIRA公司  P2V64S40ETP
- ~& N8 ^; `' M! {. D( K. c% b: ]2305闪存芯片型号: 29LV400BTC-70
& _5 I/ K9 |7 t, z我只能提供以上信息,内存和闪存具体参数请网友提供。* o( l' J# c5 ]$ |6 ~* @7 H3 Z
请网友提供2805闪存芯片型号和内存型号及固件程序
. M! O+ \2 s$ T* N  |3 P& ~# j请网友提供2805闪存和内存具体参数。
8 ]# N/ ~& w& F* Q- J5 D最后提醒:你必须要有高超的焊接技术!
发表于 2007-4-5 20:29:43 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

是的!还有提醒一点,这样弄后也就别想着保修了!呵呵!
发表于 2007-4-7 08:30:05 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

还是不要自己搞,网上有很多改版高手,去淘宝找找吧.
 楼主| 发表于 2007-4-10 18:08:56 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

难道2805的内存和闪存芯片资料真的没人知道?4 E- @# ]5 x5 y4 l2 z  Y8 e
不一定非要自己改,了解一下其用多大内存也好,; U3 H: c" a* `2 p( r2 j& Q
论坛上已有人给出2505+的参数:
7 D0 j- B) U, W) v内存:IS42S16400B 4Mx16bits=64Mbits=8MB  电压3.3V
7 _% |' J* |5 T( q' [, @  T闪存:29LV400BC-70PFTN 256K x 16-bits=4Mbits=512KB 电压3V1 v2 x: }8 I- Q
CPU:主频166.143MHz
my79525 该用户已被删除
发表于 2007-4-11 19:08:04 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2007-4-12 03:13:49 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

下面引用由my795252007/04/11 07:08pm 发表的内容:
( L0 U# Y' Y+ }我从多方打听,2805的内存是16MB的,但IS42S16400B是8MB的,所以不够  `9 |* Y6 V# a# M+ B. i  |
IS42S16400B是PC166的,所以可以和CPU一起工作,我发现PC166的SDRAM很难找,我身边有块G2-MX400的显卡,上面的显存是8M x 16Bit=128Mb=16MB, ...
傻瓜
发表于 2007-4-13 09:46:51 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

P2V64S40ETP
# A( ?' I! s' I1 Z的资料
发表于 2007-4-13 10:03:23 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

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SD 1Mx16 PC166  HY57V161610ET-6  Hynix  20000@  53    Stock HK ! g( s3 r4 B: p
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' f- n, L1 M/ [SDRAM- PC100
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MT48LC4M32B2TG Lead Plated  4 Meg x 32
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8 k- U; }/ q8 Y' p6 K3 a
SDRAM- PC133
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SD 32Mx8-75 133MHz CL3  HYB39S256800DT-7.5  Infineon  3000@  55    Stock 4 x4 _: d! {; B
SD 32Mx8-75 133MHz CL3  MT48LC32M8A2TG-75  Micron  10000@  45    Stock ) f- D) ^' {4 Q, Q/ E) b: l5 Q
SD 32Mx8-75 133MHz CL3  K4S560832E-TC75T  Samsung  4000@  74    1 day # D; [7 f: \* r- U
SD 32Mx8-75 133MHz CL3  K4S560832E-TC75  Samsung  11520@  65    1 day 8 @" s8 R. X  \
SD 16Mx16-75E 133MHz CL3 Pb Free  EDS2516APTA-75-E  Elpida  7000@  00    10 days . I8 {1 y0 S1 q8 z. K4 R$ v8 I
SD 16Mx16-H 133MHz CL3  HY57V561620CT-H  Hynix  40320@  20    Stock HK
. r* O+ ~% d0 S SD 16Mx16-H 133Mhz  HY57V561620CT-H  Hynix  11520@  27    Stock HK
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SD 16Mx16 PC133 Pb Free Ind Temp  MT48LC16M16A2P-75IT  Micron  2000@  90    4 days
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SD 16Mx16-75 133 MHz  K4S561632E-TC75  Samsung  30000@  96    3 days
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SD 16Mx8-75 133MHz CL3  UPD45128841G5-A75-9JF  Elpida  10000@  05    1 day
, {: |/ N$ n9 D! k SD 16Mx8-75 133MHz CL3  MT48LC16M8A2TG-75  Micron  10000@  25    3 days
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SD 4Mx16-102 PC100 CL2  MB81F641642D-102FN  Fujitsu  65130@  55    Stock HK
1 r  K% ]! S0 w- g- r SD 2Mx8-8 PC125 CL2  MT48LC2M8A1TG-8BS  Micron  45000@  70    Stock HK
- ]" M9 e5 ^9 P7 Q' C" c6 uEDO Extende d Data Out ! l+ ^! F3 v( ~- b) d  R: P2 W# T
EDO 2Mx8-60 5V SOJ  GM71C17803CJ-6  Hyundai [LGS]  10000@  35    3 days # K" T$ q! u$ b
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EDO 2Mx8-60 5V 2K SOJ < td bgcolor="&#35;FFFFFF" valign="top">
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$ P8 @; I: L  c$ e FPM 4Mx4-60 3.3V 4K TSOP  K4F170412D-FC60  Samsung  20000@  15    5 days ' Z, s& E% ^: C' z: q  V
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6 Q3 f- C  {9 m" o( O3 d, _***********************************1 @# h9 p: U5 F1 h
AMD* F5 |1 T) f2 b, ]. R
AM29LV160DT-90EC AMD 1440 03+ STOCK,480/BOX ' w8 N- B) P5 H1 Z& ], b
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* x; x5 \/ f+ n! T. k, l 256M bit Nand Flash  K9F5608U0C-DCB0  Samsung  5000@   & a+ n# x* r, V1 b
256M bit Nand Flash  K9F5608U0C-PIB0  Samsung  13000@   
  @  |/ \  d) l 256M bit Nand Flash  K9F5608U0B-PIB0  Samsung  10000@   - \) Z% e- ~1 }/ F
256M bit Nand Flash  K9F5616U0B-YIB0  Samsung  5000@   
9 @  F: j$ H  c+ g+ V2 a! Z 256M bit Nand Flash  K9F5608U0B-YIB0  Samsung  10000@   - N6 o! _- A; Q5 k6 Z
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  |2 J& m; a# m0 b/ ]# I% \; V! bFlash Memory & k8 h# h, ~! b' R
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+ |( t) P1 g( l/ z+ }6 E# { 16M Flash Memory  TE28F160C3TD-70  Intel  30000@   * P" |5 V: c7 p4 H, U* K3 o
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  j: t% a9 j: r4 ?6 ~ 4M Flash Memory  HY29F400TT-55  Hyundai/00  8000@   % D9 ~  w1 [  X6 g) f
4Mb Nor Flash SOP 5V  MT28F400B5SG-8BET  Micron  5000@   % k: c) g8 M1 ?- S2 i; u! ?
4M Flash Memory  SST28SF040A-90-4C-NH  SST  500@   " I0 s- B2 [. c8 h
IC库存,低价清仓!!Over 100000 units in stock !!!
  z- j. [; U, d  h* y***********************************
* N) b4 o( f* ]5 Q128M Flash Memory  TE28F128J3C-120  Intel  2000@   
& y5 p. W4 h  g' gStatic RAM
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SRAM 128Kx8-70H  M5M51008DVP-70HI  Mitsubishi  5000@   
# P. ^$ X0 n/ c' d0 C SRAM 128Kx8-7 SOP  K6T1008C2E-GB70  Samsung  12000@   
' |& v: U! A( i7 D5 v% L: V4 u$ ^8 \ SRAM 128Kx8-70 SOP  TC551001CF-70L  Toshiba  5000@   
% l; G! X' q1 @" m! S( h SRAM 64Kx16-12  K6R1016V1C-TI12  Samsung  1500@   
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$ @9 @8 H6 O1 e6 R) y# p SRAM 512Kx8-12  K6R4008V1D-JC10  Samsung  1000@   " g6 r) W9 z; B8 Q6 X
4M Fast SRAM  K6R4008V1D-TI10T00  Samsung  16000@   * M7 X6 B$ T2 W* e
SRAM 128Kx8  K6T1008C2E-GB55  Samsung  5000@   
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3 X3 j) B1 y) }& \: P7 B1 ? SRAM 512kx8 Ind Temp  K6X4008C1F-DF55  Samsung  400@   
# Y: V# ^) ?' s3 j: S SRAM 512kx8  K6X4008C1F-VF55  Samsung  30000@   # F( c' Z% y$ p
SRAM 512kx8  K6X4008C1F-VF70  Samsung  30000@   ' q8 f- I& p+ M1 j: Y8 v. K+ B* G
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SRAM 64Kx16  K6R1016V1D-TI10  Samsung  15000@   
4 `7 x, I" T- t SRAM 128Kx8 Slow SOP  LP621024DM-70LL  Elite MT  1000@   
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SRAM 128KX8-70 Lead Free  K6X1008T2D-BF70T  Samsung  5000@   % v4 o: [" k3 p+ H) [* q8 b; O
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EPROM
6 Z. p/ O1 F2 R, P3 D4 E0 h EEPROM  AT24C256-10PI-2.7  Atmel  10000@   
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" E2 i6 |  z- [! @, o. e2 F- t
- b( D$ u: a1 a" l***********************************
: p( Z& J' m( S$ J5 }' FSamsung
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K4S643232F-TC60 SAM 50 02+
" v2 f9 ^& e+ nK4S281632DTC-75 SAM 500 03+4 [7 z6 E' C  a9 T2 _2 L
K4S281632ETC-75 SAM 1000 03+' k" ]" j& m8 c$ B9 ^* d
K4S561632ETC-75 SAM 1500 03+& e9 l9 l. \8 w2 G9 j; s
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K4D623238B-QC50 Samsung 20000 03+ 3days
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K4S161622H-TC60 Samsung 30000 03+ 5days* Q; g+ M5 I) D9 I
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K4S281632E-TC75 Samsung 30000 03+ 3days' w  h1 T! w0 @4 r2 I! \

/ [' [8 f( H  m+ K' K% }& n***********************************
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' M8 p: e% t( ~* y) Q$ X. u, HMT48LC2M32B2TG-6 Micron 20000 03+ 3days& [" q5 v3 l& L
MT48LC2M32B2TG-7 Micron 5000 03+ 3days
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MT48LC32M16A2TG-75 Micron 1000 03+ 3days ! L/ g' S' s: p& j
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# O) @7 S. J- o8 m' f1 qMT48LC8M16A2TG-75 Micron 20000 04+ 3days
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. k& }# X; H( E. JMT4LC1M16E5TG-5 MICRON 5000 02+ 3days- z& V7 `; B8 l: b8 \
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MT48LC4M32B2P Lead Free  4 Meg x 32 3.3V TSOP 86-pin 167 MHz 6ns* X2 z; a8 N" U5 u3 q7 T
MT48LC4M32B2TG Lead Plated  4 Meg x 32   i5 A/ D/ `' l$ V/ p
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MT48LC2M32B2TG-6 MT 200 04+! m9 I+ x0 `+ O, N/ E
MT48LC4M16A2TG-8E MT 60 01+
! q$ X5 O, P3 W5 Z4 q# XMT48LC8M16A2TG-7E MT 700 01+$ @$ }) ~0 e! s) H; m
MT48LC8M16A2TG-75 MT 600 03+
7 k# l. H3 R" o; i2 C9 [4 P) N( aMT48LC16M16A2TG-75 MT 1000 04+- P3 S4 @- x, C
MT48LC4M32B2TG-7 MT 120 03+7 B& V6 o& [" x) z
M29W160DT-90N1 ST 300 02+4 Y% B- y" ^, M" P5 V
MX29F400BTC-90 MX 768 00+4 T& R" u1 f" G$ }+ u. I! Z1 j
MT9V111 MT9M001 MT9M011 MT9D001 MT9T001
' H9 v' O  h4 j/ T. Q% ^: sMT9V011(MI360) MT9V011  MT9V403 MT9V111
: y) ]# E' i8 T+ v& hMT9T001 MT9M413 MT9M111 MT9M011 MT9V111
% g4 @* G( z6 W  U! x/ E$ @MT9M001C12STC MT9M001  MT9V011
7 l) P  [: U. l7 E. W: n; XMT9V011 MT9M001 MT9D001 MT9T001 / [. u3 o+ h& D7 ?
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OV7411 OV5116  
% Y: v* D5 T6 a" B***********************************
! }8 H5 N2 A1 ~5 ]; R Hynix ( `5 J( }$ b! K4 I- w1 O3 L3 K  w
SDRAM    ! h: z5 x+ }- A1 n
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+ Y0 W; z' e' W% |  D6 H* N6 I8 EHY57V56820CT-H 32M*8SDRAM 10k/04+ 960 : b$ b7 r/ l  v+ m& j3 u& w+ c/ E
HY57V561620CLT-H  16M*16SDRAM 20K/05+ 960
) A( u. C8 X7 @  s* ^. r. }HY57V281620HCT-H 8Mx16SDRAM 20K/04+ 960
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, i, B* T- j: e1 KHY57V281620ET-H 8Mx16SDRAM 10K/04+ 960 1 L' m" R8 F" ?* R: @, D( p
HY57V641620HGT-H 4Mx16SDRAM 30K/04+ 960 4 N) N5 t2 k: q- J2 ?* ]
HY57V641620HGTP-H 4M*16SDRAM 15K/04+ 960 / K: ~, z" S. J$ \! v5 }
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HY57V641620HGT-6 4Mx16SDRAM 7K/03+ 960
& t& @# V) {6 `8 qHY57V641620ET-7 4Mx16SDRAM 50K/04+ 960 7 p  y5 Y" B% q
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HY57V641620ET-6 4Mx16SDRAM 11520/05+ 960
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HY57V161610ET-7 1Mx16SDRAM 50K/04+ 960
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HYB25D128800AT-7 Infineon
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9 [  t5 c: d# d7 b+ l4 ?HYB39S256800DT-7 Infineon 3 O6 B3 }" i3 |) ]
HYB25D256800BT-6 Infineon , s7 y2 P; @7 i9 c3 T# T
HYB25D256800CE-6 Infineon
/ _! `, G! \- x7 M) g8 F  R7 IUPD45128163G5-A75 NEC Singapore
2 Z) [5 E4 a% T' M: ?UPD45128163G5-A75SU-9JF NEC Japan
3 [: S  h. s# Y* dUPD45128163G5-A75-9JF Elpida 2 V4 z, x9 v8 A* T0 D
UPD45128163G5-A75TI-9JF Elpida ) }$ ]4 c' G" w8 O
UPD45128163G5-A75LI-9JF Elpida
2 O" {  r4 s9 r. |* a+ ~EDS1216AATA-75 Elpida
. j; i, e$ s6 p9 i9 J5 k# zHYB39S128160CT-7 Infineon & C# V0 W( h9 w* v  d0 B* J+ L
***********************************
$ v/ b; s6 [8 ^% h% K& RS16008LK9TW-75AG Spectek
5 \' s, o7 b1 ]& l/ ?EDS1232AATA-75 Elpida
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GLT5640L16-7TC G-link 4 p5 D+ D! O0 Q# w/ z' n" A+ k
S16004LK6TW-75AG Spectek
# \; i2 d" u- [+ V8 K3 aGLT5640L32-6TC G-Link 7 r4 m% Q$ {6 p4 f/ \% a, P
TC59S6432CFT-70 Toshiba - W0 r# _1 X% s( Y) I! t' ~, v
EC001164VS OEM ACE
! H" Z1 K3 h: K! C: B1 SEM636165TS-6G Etron
8 L: `. m8 o# p% F$ u: T) J8 ]EM636165TS-7 Etron * P. o  T7 x# v4 |6 b, I- r
IC42S16100-7T ICSI 4 q9 V+ P) s; y
IC42S16100-6T ICSI
5 L% P+ ]% r: V$ IT436416A-7S OEM TM
% D1 \( A4 O" u  m3 H- cIS42S16800A-7T ISSI
( D7 K- }7 J( o2 a' h( O, }UPD45128441G5-A10 NEC ( G3 q( g: L" W+ z4 a  S' [
UPD4516421AG5-A10-9NF NEC
: f# @3 w& d1 \3 SNT511740D5J-60S Nanya
$ u1 x, I" `/ I* [NT511740D5J-60 Nanya
1 m7 H) P& b9 d! P1 UTC5117805CJ-60 Toshiba ' c& Q* J+ f- A' S9 o1 U
AS4LC1M16E5-60JC Alliance ! }: P4 A1 F0 x' @% v
AS4LC1M16E5-60JI Alliance
5 r' I3 e& a/ y2 q4 w6 `1 W; _& UM11B416256A-25J Elite MT
5 y. P2 a! l" v$ `- H7 t6 uHY512264TC-60 Hynix
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MSM514400DL-60SJ OKI 5 w* t# }3 n. i4 e
HM5116400S-6 Hitachi
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发表于 2007-4-14 22:59:58 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

可以软改2805就好了...
发表于 2007-4-19 08:28:17 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

" r" P3 d5 m) n$ g' i
另外2305上电阻R37我去掉有一个星期快了。据说可以跑到150M
! f$ ]- ?7 z$ T现在也没有问题
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