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磊科2305改2805思路探讨

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发表于 2007-4-5 19:40:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
2305与2805相比,主板及cpu是完全一样的,只是内存大小、闪存大小和固件程序不同。
) ]. O! M: {& i2 [& \$ P# u& O改装思路:
& k6 G& s9 T/ a1、找正版2805把闪存用热风枪吹下来,用编程器把2805固件读出来。(如果网上有朋友 提供则省去这一步)。5 |' C) _2 `) n$ p
2、买一个型号和2805一样的闪存芯片(一般是空白的),把刚才读出来的固件写进去。% G& g4 S4 r( E9 E* O1 }! o
3、买一个型号和2805一样的内存。
0 Z- E* N/ i+ D" S% u; @4、把2305的闪存芯片和内存用热风枪吹下来。) y; a' a; V* q
5、把买来的内存和刚才写好的闪存芯片焊到2305上。, a3 O: d( S+ W/ M
这样理论上就应该是完全版2805,与官方正版2805应该一样。. m% e0 z& Z& q# `) b- u  {/ Y
2305内存型号:     MIRA公司  P2V64S40ETP
0 L. `' Y6 U4 _2305闪存芯片型号: 29LV400BTC-70
/ {* ?8 g8 w8 e# B$ i* e) e8 f我只能提供以上信息,内存和闪存具体参数请网友提供。2 c" I5 o( }0 N5 }/ E
请网友提供2805闪存芯片型号和内存型号及固件程序
" p7 M+ U! X% @! r% e7 f, d0 f请网友提供2805闪存和内存具体参数。
; ]4 d! d: ]  M. J7 F# q最后提醒:你必须要有高超的焊接技术!
发表于 2007-4-5 20:29:43 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

是的!还有提醒一点,这样弄后也就别想着保修了!呵呵!
发表于 2007-4-7 08:30:05 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

还是不要自己搞,网上有很多改版高手,去淘宝找找吧.
 楼主| 发表于 2007-4-10 18:08:56 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

难道2805的内存和闪存芯片资料真的没人知道?
6 v- ^) j! h1 m) q" T9 h不一定非要自己改,了解一下其用多大内存也好,5 v$ {+ @5 t0 t
论坛上已有人给出2505+的参数:
* q: y. o: @. J& Y! P& u- A- v内存:IS42S16400B 4Mx16bits=64Mbits=8MB  电压3.3V
  z/ c. S6 Q) G- j闪存:29LV400BC-70PFTN 256K x 16-bits=4Mbits=512KB 电压3V
* i! |+ d$ [3 bCPU:主频166.143MHz
my79525 该用户已被删除
发表于 2007-4-11 19:08:04 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2007-4-12 03:13:49 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

下面引用由my795252007/04/11 07:08pm 发表的内容:7 X* b, l# a) ]8 y% E) U* O& H
我从多方打听,2805的内存是16MB的,但IS42S16400B是8MB的,所以不够
3 @& q9 ^4 }# AIS42S16400B是PC166的,所以可以和CPU一起工作,我发现PC166的SDRAM很难找,我身边有块G2-MX400的显卡,上面的显存是8M x 16Bit=128Mb=16MB, ...
傻瓜
发表于 2007-4-13 09:46:51 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

P2V64S40ETP. T& @$ e$ ^* O
的资料
发表于 2007-4-13 10:03:23 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

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AMD
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MX29LV800TTC-90 Macronix 30000 03+ 4-5DAYS 3 Z/ n) c+ z/ Y4 K7 t6 q
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' E. V2 i9 i8 a: V
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DDR 32Mx8 PC333  M2S56D30ATP-60  Mitsubishi  4320@  65    3 days
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$ u! V5 r: \1 n; D. _  jDDR-266 ; }& U" ?  ^5 `% y6 ?
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) ~# s$ J) q, e- K; r: [ DDR 32Mx4 PC266 CL2 Pb Free  HYB25D128400CE-7  Infineon  30000@  35    3 days
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Nand Flash   a$ S% O9 R; t7 X0 f  ~4 H
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8G bit Nand Flash Pb Free 90nm Dual Die  K9W8G08U1M-PCB0T  Samsung  5000@   5 s: `' X& v& \8 w
8G bit Nand Flash  K9K8G08U1M-PCB0  Samsung  1000@   
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' ?- m' s" }0 I* l: L5 M 4G bit Nand Flash Pb free  K9K4G08U0M-PCB0  Samsung  2000@   # e. s# N8 r1 q
4G bit Nand Flash Pb free  K9K4G08U0M-PCB0T  Samsung  2000@   7 z9 Z  ^+ I7 O, M  f5 t
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. N4 ]; H1 I5 T3 j9 J1 w1 G8 A 4G Nand Flash  K9K4G08U0M-PCB0T00  Samsung  1000@   . _+ Q0 S4 m! J; _
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2G bit Nand Flash Single Die row read disable  HY27UF082G2M-TPCB  Hynix  1920@   
) W3 H& y7 c  Y, x/ E 2G bit Nand Flash Dual Die row read disable  HY27UG082G2M-TCB  Hynix  2000@   5 w! _" p- C8 x: ^0 M) G) v
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& d; `/ h0 a" P. O: p2 i 2G bit Nand Flash  K9K2G08U0M-PCB0  Samsung  2000@   
* }6 B4 V: i' m 2G bit Nand Flash Pb Free  K9F2G08U0M-PCB0  Samsung  1000@   7 d3 Q  Q- F' ^3 F
2G bit Nand Flash 256Mx8  TC58NVG1S3BTG00  Toshiba  960@   ' W! F3 j3 N, e  h, d
2G bit Nand Flash 256Mx8  TC58NVG1S3BFT00  Toshiba  2600@   . r  d9 V' y+ F( B5 @# Q
2G bit Nand Flash 256Mx8  TC58NVG1S3AFT05  Toshiba  2600@   , ^  N, Z! T5 a; H  u3 X* p
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  u9 W& R) {% d7 J; m" Z 1G bit Nand Flash mono die row read disable  HY27UF081G2M-TPCB  Hynix  3840@   
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1G bit Nand Flash 128Mx8 Pb Free  K9F1G08U0A-PCB0  Samsung  10000@   
# |! G9 @+ o# t 1G bit Nand Flash 128Mx8 Pb Free  K9F1G08U0A-PCB0T  Samsung  10000@   
/ ]0 O4 u- w9 e  ] 1G bit Nand Flash 128Mx8  K9F1G08U0A-YCB0T  Samsung  10000@   # N) h# d( C$ q4 J2 H. l& z' K6 Z
1G bit Nand Flash 128Mx8 TSOP I-48  TC58DVG02A1FT00  Toshiba  960@   5 W; `* D/ K  A% G3 }* q# P
6 e8 Y9 I2 ~3 F* j5 |
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256M bit Nand Flash x8 3.3V Pb Free  HY27US08561A-TPCB  Hynix  14000@   
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256M bit Nand Flash  K9F5608U0B-YIB0  Samsung  10000@   
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' |% e) M; u' p5 p" g) @0 j 16M Flash Memory  TE28F160C3TD-70  Intel  30000@   1 W+ a8 b8 [5 r) p7 C, K' ]+ V
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% P8 \" F8 M/ s' O  W 4M Flash Memory  SST28SF040A-90-4C-NH  SST  500@   
1 f1 n/ \' W, Q9 L- x, ?- n7 j IC库存,低价清仓!!Over 100000 units in stock !!!
: m" {# ?; l) C% a0 E***********************************/ q9 K6 X6 y2 \$ m
128M Flash Memory  TE28F128J3C-120  Intel  2000@   
  F' y0 D3 p1 n% B- ^( }8 e0 \# C# fStatic RAM
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) L. ^2 g' A5 }2 S" Q2 ~" C0 D SRAM 512kx8 Ind Temp  K6X4008C1F-DF55  Samsung  400@   # S6 n8 V+ L: Y0 C9 G. |
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- M! i2 k3 h4 c SRAM 512kx8  K6X4008C1F-VF70  Samsung  30000@   - f6 V# \9 W$ X  e" [
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SRAM 64Kx16  K6R1016V1D-TI10  Samsung  15000@   8 e, W/ k6 S+ C: r9 |
SRAM 128Kx8 Slow SOP  LP621024DM-70LL  Elite MT  1000@   
0 b* X4 Q( _8 R5 ?6 z/ A" k* z: L SRAM 128Kx8  K6X1008C2E-TF55  Samsung  8000@   
, s# a+ z! v9 m' x SRAM 128KX8-70 Lead Free  K6X1008T2D-BF70T  Samsung  5000@   ( y2 o$ m0 J' M  ^: F* N* U
SRAM 1MX36  K7N323645M-QC16  Samsung  1500@   
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EPROM  AT89C2051-24PI  Atmel  5000@   
8 V) Z5 H! j& J% q" z9 M! m4 r7 ~# }% ?$ {- }
***********************************) q- y$ ]  X: r) N  I7 Q, s
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; k4 q) ^- N, W  t6 w) d" V/ tK4S161622HTC-60 SAM 960 04+
5 j8 O1 T. Q) r- LK4S641632H-TC75 SAM 480 03+0 K, f1 R0 t1 e
K4S641632F-TC75 SAM 1920 04+
" ^1 t$ y/ r1 S" tK4S643232F-TC60 SAM 50 02+
" ^- N! b; O& t0 d6 n, K/ bK4S281632DTC-75 SAM 500 03+
- c( x, f: n2 cK4S281632ETC-75 SAM 1000 03+1 `( R% r# W: T9 K$ V
K4S561632ETC-75 SAM 1500 03+
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. X6 k: w1 J. QK4D261638F-TC50 Samsung 20000 04+ 3days% m: L; ]. e' s; j4 {  r) k
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K4D26323RA-GC2A Samsung 8000 02+  5days
: W& j5 {, L8 H. s* d. Q# k+ }6 vK4D26323RA-GC2B Samsung 8000 02+  5days
. z0 f3 K) b. |* y6 p+ f# GK4D551638F-TC50 Samsung 20000 04+ 3days( d  a! s+ [) b5 X
K4D623238B-QC50 Samsung 20000 03+ 3days
) E/ i! k  V; k$ GK4S161622D-TC80 Samsung 10000 02+ 3days
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K4S280832D-TI75T00 Samsung 1503 03+ 3days
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K4S281632E-TC75 Samsung 30000 03+ 3days: x1 A: |2 K5 i; D
/ V8 o) f* n2 Y$ v- ?1 J
***********************************
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MT48LC32M16A2TG-75 Micron 1000 03+ 3days 1 y; m0 }' e! ~/ T! f7 n
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MT48LC4M16A2TG-75 Micron 5000 04+ 3days
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, d, @" i6 i8 U/ n9 M, p  B, tMT48LC8M16A2TG-75 Micron 20000 04+ 3days
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MT48LC4M32B2TG Lead Plated  4 Meg x 32 " U  @1 E8 H% O* h$ o
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- `5 i) [5 o+ F/ D8 ?! R0 l) `MT48LC8M16A2TG-7E MT 700 01+
6 r8 x1 ^8 _3 ^8 ?MT48LC8M16A2TG-75 MT 600 03+
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MT48LC4M32B2TG-7 MT 120 03+: n4 X$ |) W/ @5 [& L9 }: m. ]
M29W160DT-90N1 ST 300 02+$ h! d% U8 _3 z* T& @/ d
MX29F400BTC-90 MX 768 00+
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. ~/ F& D' r6 I3 {8 n) YMT9V011 MT9M001 MT9D001 MT9T001
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; E0 S7 f. |8 r" ~OV7411 OV5116  
5 B* a* b; b* W, Y; t. M$ e***********************************
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HY57V561620CTP-H 16M*16SDRAM 5760/04+ 960 6 Y! `0 w! w; U. t( r
HY57V56820CT-H 32M*8SDRAM 10k/04+ 960
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" }" g: n+ {# t& Q! v; v: \4 WHY57V641620HGTP-H 4M*16SDRAM 15K/04+ 960
" Q7 N8 l8 g! m, BHY57V641620HGT-7 4Mx16SDRAM 20k/04+ 960 . ^4 ]# i0 z6 J& J2 U
HY57V641620HGT-6 4Mx16SDRAM 7K/03+ 960   e( f1 o/ C. ?5 v' I$ }) }6 F
HY57V641620ET-7 4Mx16SDRAM 50K/04+ 960
. ]* t  Y# |4 h; j, L7 f. R2 \3 DHY57V641620ET-H 4Mx16SDRAM 10K/04+ 960 0 k3 B* V* q8 S+ W
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HY57V64820HGLT-PDR 8M*8SDRAM 10K/04+ 1000/reel
' v* `4 i# C- v, K: I* eHY57V161610ETP-7 1Mx16SDRAM 50K/04+ 960 : k* q) a" Q; N) q$ Y2 L+ U" a
HY57V161610ET-7 1Mx16SDRAM 50K/04+ 960 2 `4 r. c& C; \# x
***********************************3 {0 _2 B0 N' Y+ k4 a6 l2 A( _# C; U0 x
P2S56D20BTP-6 UTT UTT - Mira , V1 r: ~4 h  a9 R0 r; |! F
V58C2256804SAT-6 Mosel Vitelic7 k; s  O' H+ I: g
M2S56D30ATP-60 Mitsubishi
) ?5 J9 E$ Y" eHYB25D256160BT-6 Infineon 3 j% B+ I% E7 `5 N* ]: l# c
EDD2516AMTA-6B Elpida 5 ^! Z- r8 L. Y
EDD5116ADTA-7A Elpida
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HYB25D128800AT-7 Infineon
* r, {, A/ H' H6 u5 X, HN2SV25616BS-75B Elixir # H# k5 Z7 V. T
HYB39S256160DTL-7 Infineon
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' X  D9 {6 Z# v( W; E4 WHYB39S128800CT-7.5 Infineon
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HYB39S256800DT-7 Infineon
; C) V7 j7 c# A5 y1 I0 R* KHYB25D256800BT-6 Infineon 1 a1 W+ `. C; L. z8 N; c% h# o9 g
HYB25D256800CE-6 Infineon
* U! W- g7 F5 D# U' FUPD45128163G5-A75 NEC Singapore
' E$ E& C, N( C: `% ]  m. R' }UPD45128163G5-A75SU-9JF NEC Japan / t) O8 V" ~# K! [
UPD45128163G5-A75-9JF Elpida
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UPD45128163G5-A75LI-9JF Elpida
/ y1 K0 _: J9 \7 w! \: QEDS1216AATA-75 Elpida " Z1 S* y3 W- C8 }0 Y' p) w
HYB39S128160CT-7 Infineon ; J# F* m# p  q( u/ k8 @
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. K, R6 w; l8 N, q: wS16008LK9TW-75AG Spectek . o' m' _8 L, H1 `' Q
EDS1232AATA-75 Elpida # a9 K# x3 ?* z7 J# T# T% y% S, o3 o) |2 [
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S16004LK6TW-75AG Spectek
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TC59S6432CFT-70 Toshiba
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IC42S16100-6T ICSI   P+ E$ G# j' T- ~  S7 A
T436416A-7S OEM TM
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UPD45128441G5-A10 NEC 4 \6 d& B, E- F6 `# q
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TC5117805CJ-60 Toshiba 2 y) X) B" {' v2 @* `1 F; `, N. y
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AS4LC1M16E5-60JI Alliance 1 C% E& ]/ k2 P6 r; }
M11B416256A-25J Elite MT
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TC51V18160CFTS-60 Toshiba
1 j6 D- g/ ^2 g8 TMSM514400DL-60SJ OKI ' ~* ~2 N6 d8 K* `& Q4 V/ ~
HM5116400S-6 Hitachi; X% I% l! Z- u  d' Z3 f5 j" x  W, O

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: N2 T% h8 {; C7 c4 }2 t) G! [SST39VF010-70-4C-NH SST 25000 02+ 5days
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发表于 2007-4-14 22:59:58 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨

可以软改2805就好了...
发表于 2007-4-19 08:28:17 | 显示全部楼层

磊科2305改2805思路探讨


, T3 B/ O; ]3 `5 b+ L* }9 j7 p另外2305上电阻R37我去掉有一个星期快了。据说可以跑到150M
3 Q/ _/ y" i2 x! Y; k, x# n* \现在也没有问题
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