【转贴】部分内存颗粒编号的识别
一、现代(Hyundai)内存颗粒编号1.SDRAM内存(老版本)
第1字段由HY组成，代表现代产品。
第2字段代表产品类型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。
第3字段代表电压，V代表3.3V；U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。
第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。
第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。 二、LGs SDRAM内存颗粒编号
第1字段由GM组成，代表LGs公司的产品。
第2字段代表产品类型，72代表SDRAM。
第3字段代表电压，V代表3V。
第4字段代表内存单位容量和刷新单位，16代表16M(4K刷新)；17代表16M(2K刷新)；28代表128M(4K刷新)；64代表64M(16K刷新)；65代表64M(8K刷新)；66代表64M(4K刷新)。
第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片组成，1代表1BANK；2代表2BANK；4代表4BANK；8代表8BANK。
第7字段代表电气接口，1代表LVTTL。
第8字段代表芯片的修正版本，A代表第1版；B代表第2版，依此类推。
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第10字段代表封装方式，T代表TSOP；R代表TSOPⅡ；I代表BLP；S代表STACK。
第11字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；65代表6.5ns(153MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；7K代表10ns(PC100 @222)；7J代表10ns(PC100@322)；10K代表10ns(PC66)；10J代表10ns(PC66)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
（接下页） 三、胜创(KingMax)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由KM组成，代表KingMax内存产品。
第2字段代表内存种类，P代表FPM DRAM；E代表EDO DRAM；S代表SDRAM。
第3字段代表适用的电压，V代表3.3V；C代表5V。
第4字段代表内存芯片的组成，28代表2M×8；44代表4M×4；46代表4M×16；88代表8M×8；A4代表16M×4。
第5字段代表刷新，1代表1K；2代表2K；4代表4K；8代表8K。
第6字段代表封装方式，T代表TinyBGA；C代表TureCSP。
第7字段代表芯片组成，0代表单Bank；2代表2Bank；4代表4Bank。
第8字段代表芯片的供应厂商。
第9字段代表芯片的速度。
第10字段代表测试级，A代表AdvantestT5581H；B代表CSTEureka；C代表T5581H+Burn-in。
第11字段代表内存的速度，10代表10ns；8代表8ns；7代表7ns。
（接下页） 四、三菱(MITSUBISHI)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由M2组成，代表三菱产品。
第2字段由代表I/O界面，一个字符组成，一般为V。
第3字段代表容量，如16代表16MB。
第4字段代表内存类型，S代表SDRAM。
第5字段代表数据带宽，2代表4位；3代表8位；4代表16位。
第6字段代表意义不详，一般为0。
第7字段代表产品系列。
第8字段代表封装类型，TP代表TSOP封装。
第9字段代表内存的速度，8A代表8ns；7代表10ns(CL=2或3)；8代表10ns(CL=3)；10代表10ns。
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗
（接下页） 五、东芝(TOSHIBA)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由TC组成，代表东芝产品。
第2字段代表内存种类，59S代表SDRAM。
第3字段代表容量，64代表64MB；128代表128MB。
第4字段代表数据带宽，04代表4位；08代表8位；16代表16位；32代表32位。
第5字段代表产品系列，比较常见的有A系列和B系列产品。
第6字段代表封装方式，FT代表TSOP。
第7字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第8字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
（接下页） 六、富士通(FUJITSU)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由MB81组成，代表富士通的SDRAM产品。
第2字段代表内存的种类，F代表PC100；1代表普通内存。
第3字段代表容量。
第4字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第5字段代表芯片的组成，22代表2BANK；42代表4BANK。
第6字段代表产品系列。
第7字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
（接下页） 七、英飞凌(Infineon)[原西门子(Siemens)子公司]SDRAM内存颗粒编号
第1字段由HYB组成，代表西门子产品。
第2字段代表内存的种类，39S代表SDRAM。
第3字段代表内存的容量。
第4字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位。
第5字段代表的意义不详，一般为0。
第6字段代表产品系列。
第7字段代表封装方式，T代表TSOP封装。
第8字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第9字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz@CL=2)；8B代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。
（接下页） 八、日立(Hitachi)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由HM组成，代表日立产品。
第2字段代表内存种类，51代表EDO；52代表SDRAM；54代表DDR SDRAM。
第3字段代表密度，64代表64MB；12代表128MB；25代表256MB；51代表512MB。
第4字段代表结构，405代表x4；805代表x8；165代表x16；325代表x32。
第5字段代表芯片修正版本，A代表A修正版；B代表B修正版；C代表C修正版。
第6字段代表封装方式，TT代表TSOP；TD代表DDP(Double-DensityPackage)。
第7字段代表内存的速度，A60代表10ns(100MHz@CL为2&3)；B60代表10ns(100MHz@CL=3)；75代表7.5ns(133MHz)；80代表8ns(125MHz)。
（接下页） 九、三星(Samsung)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由K组成，代表三星产品。
第2字段由4组成，代表DRAM。
第3字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位。
第4字段代表内存种类，S代表SDRAM。
第5字段代表密度，1代表1M；2代表2M；4代表4M；8代表8M；16代表16M。
第6字段代表刷新，0代表4K；1代表2K；2代表8K。
第7字段代表芯片组成，2代表2Bank；3代表4Bank。
第8字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL。
第9字段代表版本号，空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版。
第10字段代表封装方式，T代表TSOP Ⅱ(RPPmil)。
第11字段代表功耗，G代表自动调节，F代表自动调节低功耗。
第12字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；8代表8ns(125MHz)；10代表10ns(100MHz)；H代表100MHz@CL=2；L代表100MHz@CL=3。
（接下页） 十、美光(Micron)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由MT组成，代表美光产品。
第2字段代表内存类型，48代表SDRAM。
第3字段代表内存种类，LC代表普通SDRAM。
第4字段代表密度，此数与M后位数相乘即为容量。
第5字段代表意义不详，一般为M。
第6字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第7字段代表类型，AX代表write Recovery(TWR)；A2代表2clk(TWR)。
第8字段代表封装方式，TG代表TSOP II(RPPmil)。
第9字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8A代表8ns(125MHz，读取周期为333)；8B代表8ns(125MHz，读取周期为323)；8C代表8ns(125MHz，读取周期为322)；8 D代表8ns(125MHz，读取周期为222)；8E代表8ns(125MHz，读取周期为222)；10代表10ns(100MHz@CL=3)。
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
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