|
我再发一个内存颗粒和模组编号知识！ 在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外，颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的，编号方法很不一致。因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。力求收集得全面一些。还真的有不少斩获。现将它们整理出来，供网友们参考。当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM）内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。服务器内存和其他专用内存都没有涉及。 为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题3问题4）。当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。 目录 一.关于内存的编号 1.目前的主要内存厂商有哪些？ 2.内存是怎样编号的？ 3.请给出常用内存颗粒编号速查表！ 4.请给出常用内存模组编号速查表！ 二.关于内存的编号方法 5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。 6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？ 7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？ 8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？ 9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？ 10.怎样从内存编号中知道内存的速度？ 11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。 12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？ 13.什么是RANK? 14.如何根据模组的编号计算模组的容量？ 15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？ 16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的？ 17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义 18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？ 19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？ 20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？ 21.内存标签上的Warranty Void是什么意思？ 22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？ 23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？ 24.有害物质是指哪些？ 25.内存标签上的“0820”是什么意思？ 26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？ 27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的? 三.几个主要内存厂商编号方法介绍 28.三星内存的颗粒是怎样编号的？ 29.三星内存的模组是怎样编号的？ 30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？ 31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？ 32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？ 33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？ 34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？ 35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？ 36.现代的乐金内存是怎样编号的？ 37.美光内存的颗粒是怎样编号的？ 38.美光内存的模组是怎样编号的？ 39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？ 40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？ 41.尔必达内存的模组是怎样编号的？ 42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？ 43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？ 44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？ 45.南亚内存的模组是怎样编号的？ 46.易胜的颗粒是怎样编号的？ 47.易胜的模组是怎样编号的？ 48.力晶的内存是怎样编号的？ 49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？ 50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？ 51.金士顿Avardram内存是如何编号的? 52.金士顿HyperX内存是如何编号的? 53.世迈内存的模组是如何编号的？ 54.海盗船内存是怎样编号的？ 55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？ 56.胜创的内存是怎样编号的? 57.威刚内存模组是怎样编号的？ 58.宇瞻内存模组是怎样编号的？ 59.金邦内存模组是怎样编号的？ 60.超胜内存是怎样编号的？ 一.关于内存的编号 1.目前的主要内存厂商有哪些？ 答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。据报导，2006年，以上几个厂商生产的内存颗粒占世界总产量的98%以上。因此，弄清楚这几个大厂颗粒编号规则就是十分重要的。 模组生产厂商，则要分散得多，著名的有金士顿、世迈、金邦、威刚、胜创、瑞士军刀等。这些厂商大都是用以上颗粒厂生产的颗粒组装模组的，模组的编号基本上都符合JEDEC的规定，因此，认识这些模组生产厂的产品的主要参数和性能没有什么困难。但是，因为这些厂大都有自己的模组编号方法，因此，我也尽可能地对模组编号进行了收集整理。 现将几个主要生产厂商的官方网站介绍如下： Samsung（三星，也用SEC的标志，韩国）： http://www.samsung.com/global/Semiconductor/Products/dram。 Hynix(海力士，原HyunDai现代，后来又合并了乐金LGS，韩国）： ttp://www.Hynix.com/products/computing/。 Micron（美光，又称镁光、麦康，迈克龙，美国）： ttp://www.micron.com/products/modules/或/SDRAM Elpida(尔必达,是NEC和日立合组的专业DRAM生产厂，日本)： http://www.elpida.com/en/products/ Qimonda(奇曼达，是从英飞凌和西门子分离出来的，德国)： http://www.qimonda.com/computing-dram Powerchip（力晶PSC，台湾）：http://www.SPC.com Mosel（茂矽及茂德,台湾）: http://mosel.com.tw和http://www.promos.com.tw KingMax（胜创,台湾）：[url=http://www.kingmax.com.cn/products]http://[/url]www.kingmax.com.cn/products Nanya(南亚,台湾)：http://www.nanya.com.tw Elixir（南亚易胜,台湾）：http://www. Elixir.com.tw Kingston(金士顿，台湾)：http://www.kingston.com SMART(世迈，美国)：http://www.smartm.com/product Adata(威刚,台湾)：http://www.adata.com.tw Apacer(宇瞻，台湾):http://www.apacer.com.tw Corsair（海盗船，美国）http://www.corsairmemory.com/products/ Leadmax（超胜,香港）http://www.leadmax.com.hk Geil(金邦,中国) http://www.geil.com 2.内存是怎样编号的？ 答：内存的主要参数都可以从编号上得到答案。厂家对内存编号的方法有两类，第一类是对颗粒的编号；第二类是对内存模组的编号。在一个内存模组上，这两类编号是同时存在的，而且是密切相关的。另外，JEDEC（电子元件工业联合会，Joint Electron Device Engineering Council）也规定了一个编号方法，在近年出厂的内存标签上也都有这个编号。其实，这是对模组的简单明了的编号。以上几种编号的样式见下图。  颗粒的编号都是刻嵌在内存颗粒上面的，例如，上图中三星内存颗粒上的编号是“K4T1G084QD-ZCF7”（未全部显示出来）。模组的编号是用纸贴在内存颗粒上的，如上图的“M378T5663DZ3-CF7”就是； JEDEC的编号则是写在模组标签的上方，如图中的“2GB 2R×8 PC2-6400U-666-12-E3”就是。 搞清这些编号的含义是十分重要的，因为在这些编号中包含了内存的结构和使用信息。 3.请给出各种内存颗粒编号速查表！ 答：因为各种内存的编号方法很不统一，样式也太多，为了使读者查阅方便，我把主要内存厂商的内存编号各择其一两个样子，以便迅速查出该内存是哪个厂商生产的。欲知详细，还要查阅后面的分厂介绍。 
 4.请给出内存模组编号速查表！ 答：下表中的编号只是举例，供检索生产厂用。欲查清您手头的内存编号的含义，还需参看下面的有关问答题。   
二.关于内存的编号方法 5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。 答：内存颗粒编号所表达的内容较多，但是，主要是关于内存结构的内容。在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。 作为一般用户，不可能把内存结构的物理作用了解得很透彻。为了使“菜鸟”网友大概了解一下内存结构的名称及其含义，首先让我用一个比喻作介绍： 假如，有32张方格纸，每张方格纸上有1200个小方格。把这32张完全相同的方格纸分成四摞放到一张桌子上，因此，每摞就有8张方格纸了。 好了，我们就可以用这些条件来说明什么是单元、什么是位宽、什么是L-BANK了。见下表： | | 放到桌子上的方格纸 | 内存颗粒的组织结构 | 在内存中的名称 | | 条件和名称对比 | 一张桌子 | 一颗芯片或一个颗粒 | 颗粒或芯片（Chip或Die） | | 一张方格纸 | 一个（逻辑）BANK，一般简称BANK | BANK或L-BANK（Internal bank） | | 每张方格纸中的小方格 | 一个BANK中的存储单元（每个cell存储1bit，0或1） | 单元（cell） | | 一张方格纸的小方格数 | 一个BANK包含的单元格（cell）数 | BANK深度（BANK depth） | | 各摞方格纸表面的那一层的小方格总数 | BANK数与BANK深度的乘积,没有单位，只是cell个数 | 颗粒深度（Chip depth）或颗粒长度（Chip length） | | 一摞纸包含的张数(层数) | BANK的位宽，也是颗粒的位宽，以b为单位 | 颗粒位宽（bit organization） | | 一张桌子上全部方格纸包含的小方格数 | 颗粒深度W与颗粒位宽M的乘积，如64M×8 | 其乘积就是颗粒密度（Chip Density），单位是Mb或Gb | | 全部方格纸的小方格数除以8后的数 | 颗粒密度除以8b/B后，以MB或GB为单位 | 颗粒的容量（Density或Chip capacity） |
说明： 1.一个逻辑Bank的颗粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。目前的DDR2内存，大都是8M、16M和32M的； 2.一个颗粒的位宽有过4bit、8bit、16bit和32bit的。目前，内存的位宽大都是8b和16b的； 3.一个颗粒中的BANK数有4、8和16个的，DDR内存的位宽多是4BANK的；目前DDR2和DDR3内存大都是采用8个Bank的; 4.BANK的深度与BANK的乘积称为颗粒深度（Chip depth）,也称颗粒长度或地址空间。 5.颗粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多种。DDR内存的颗粒密度最大为512Mb;目前DDR3内存的颗粒密度可以达到4Gb。 6.颗粒密度除以8b/B才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。 6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？ 答：在电脑业界，经常把颗的结构用M×W来表示。M就是颗粒深度；W就是颗粒位宽。例如，当用128M×8表示，这个128M就是颗粒深度，单位为1；8是颗粒位宽，单位为bit。二者的乘积就是颗粒密度。颗粒密度的单位是Mb或Gb。 7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？ 答：因为在颗粒编号中给出的参数都有颗粒密度、BANK数和位宽，而 颗粒密度=BANK深度×BANK数×颗粒位宽 所以，BANK深度=颗粒密度÷BANK数÷位宽 例如，当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;BANK数是8个；颗粒位宽是8bit,因此，就有 BANK深度=1024Mb÷8÷8b=16M 8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？ 答：颗粒深度又称颗粒长度，因为在颗粒编号中给出的有颗粒密度、BANK数和位宽，而 颗粒密度=颗粒深度×颗粒位宽 所以， 颗粒深度=颗粒密度÷颗粒位宽 例如，当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;颗粒位宽是8bit,因此，就有 颗粒深度=1024Mb÷8b=128M 9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？ 答：把颗粒密度乘以颗粒数就可以得到以Mb表示的内存的容量了。如果用8个颗粒，模组容量就是1024Mb×8=8192Mb。如果把它换算成我们熟悉的字节表示，除以8b/B后，就可以得到1GB了。 这种情况往往给人造成错觉，以为颗粒编号中的“1G”就表示内存容量是1GB的。其实这是错误的，因为你不能根据一个颗粒的密度就判定模组的容量。因为容量的大小跟颗粒数有关。对于颗粒密度是1Gb的颗粒来说，如果你用的是8个颗粒，容量就是1GB：如果是用16个颗粒的话，容量就是2GB了。 10.怎样根据内存编号查出内存的速度？ 答：内存的速度是内存的一个重要的技术指标。所以，在颗粒和模组的编号上都必须给以标注。标注方法基本上是用数字或英文字符表示的。但是，在一般情况下，从这些字符上是看不出具体速度值的。而且各个厂家的表示方法也不尽一致，必须根据厂家给出的说明予以认定。不过，这个标志的位置通常都是置于编号后部的短字符“-”的后面。例如，三星内存模组的编号是M378T5663DZ3-CF7时，“-”后的“F7”就表示DDR2-800。 11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。 答：内存模组编号的内容除了反映所采用的颗粒的特性外，还反映了模组的参数。例如插槽的类型、模组的数据深度、数据位宽等。有的内存编号还直接反映内存的容量。 为了使“菜鸟”网友大致了解模组编号中所使用的技术术语，还是想利用在桌子上摆方格纸的例子做对比说明。 | | 方格纸的摆放方法 | 模组的组成方法 | 在内存中的名称 | | 用摆方格纸做比喻 | 把几张桌子上的方格纸合并,按原摞数叠成每摞64张 | 把几个颗粒并联成64bit的集合 | 64bit是一个RANK或一个物理BANK（P-BANK） | | 几张桌面上的方格纸合并成64张为一摞后，第一层方格纸包含的小方格数 | 组成位宽为64b的模组后，整个模组的数据深度。可能是颗粒深度的一倍或2倍 | 模组的数据深度Module depth。是颗粒深度的两倍时，就是2RANK | | 各张桌面上的方格纸合并成64张为一摞后，全部方格纸包含的小方格数 | 内存模组数据深度×64b。单位是Mb或Gb | 模组密度Module sensity | | 全部小方格数除以8 | 模组密度除以8b/B，以MB或GB为单位 | 模组容量Module Capacity或sensity |
注：如果模组的深度和颗粒深度相同，称为1个RANK的内存；如果模组的深度是颗粒深度的2倍，称为2RANK的内存。 12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？ 答：其中的“256M”表示模组的深度是256M；“64”表示 模组的数据宽度是64b。普通用户使用的电脑都是用”64”表示。二者的乘积就是模组的密度。模组密度除以8b/B就可以求出模组的容量。例如，对于标有256M×64的模组，其容量就是 256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB 为了简化估算，将模组深度乘以8b/B，就可以得出模组容量了。 13.什么是RANK? 答：CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。可是，单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit，个别也有32bit的。因此，必须把多个颗粒并联起来，组成一个位宽为64bit的数据集合，才可以和CPU互连。生产商把64bit集合称为一个物理BANK（Physical BANK），简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分，也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK,把L-BANK则简称为BANK。 如果每个内存颗粒的位宽是8bit，应该由8个颗粒并联起来，组成一个RANK（64bit）；同理，如果颗粒的位宽是16bit，应该由4个颗粒组成一个RANK。 由此可知：Rank其实就是一组内存颗粒位宽的集合。具体说，当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有一个RANK。 为了保证和CPU的沟通，一个模组至少要有一个RANK。但是，为了保证有一定的内存容量，目前，DDR2内存，经常是采用一个模组两个RANK的架构。（过去也有用几个模组组成一个RANK的情况）。 14.如何根据模组的编号计算模组的容量？ 答：模组的深度与模组的数据宽度的乘积就是模组密度（Module Density）。此密度除以8b/B就是模组的容量(Memory capacity)。例如，当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时，模组的深度是256M，数据宽度是64b，则模组容量就是 256M×64b÷8b/B=256M×8B=2048MB=2GB 如果不考虑单位，简单的换算方法是将模组深度数乘以8B就是内存的容量数。即256M×8B=2048MB=2GB。 有些品牌内存（如宇瞻和奇梦达）的模组编号中也直接显示出内存的容量。 15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？ 答：因为模组的编号上可以知道模组深度和数据宽度，因此，二者相乘就是模组的密度。另外，从颗粒编号中可以知道颗粒的密度，因此有 颗粒数=模组密度÷颗粒密度 例如，当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时，模组数据深度是256M。数据宽度是64b，因此， 模组密度=256M×64b=16384Mb。 另外，已知所用的颗粒编号是K4T1G084QD-ZCF7，颗粒密度是1024Mb 因此， 颗粒数=16384Mb÷1024Mb=16颗。 16.JEDEC对内存编号是如何规定的？ 答：在JEDEC第21C号标准第8条中，对DDR2内存产品的标签（Product lable）的格式和内容有具体的规定。下表的标签就是按JEDEC的标准设置的。 
其中的： “模组总容量”（Module total capacity）有256MB,512MB,1GB,2GB,4GB等； “模组构成”中的“R”是“RANK”的意思。“2R”是说组成模组的RANK数（Number of ranks of memory installed）是2个。有“1R”和“2R”两种； “模组构成”中的“×8”是颗粒的位宽(bit width)，有×4、×8和×16三种； “模组名称”的“PC2-6400”中的“6400”是以MB/s表示的模组带宽（Module bandwidth），有“PC2-5300”(DDR2-667)和“PC2-6400”(DDR2-800)等（DDR2-1066并不是JEDEC标准） “插槽类型”即是模组类型（Module Type），有F （ Fully Buffered DIMM ("FB-DIMM")）、M （ Micro-DIMM）、N( Mini-Registered DIMM)、P( Registered DIMM)、R( RDIMM)、S( Small Outline DIMM)和U( Unbuffered DIMM ("UDIMM"))等多种标识。但是，对普通电脑用户来说，使用的是“U”型（Unbuffered non-ECC DIMM），即桌式普通内存和“S”型(SO-DIMM),即笔记本型内存。有的厂家还把“插槽类别”（模组类型）中的“U”用“UNB”（Unbuffered DIMM）单独表示；把“S”用“SOD”(SO-DIMM)单独表示。 “时序”中的“666”分别表示表示“CL”、“tRCD”和“tRP”的延迟值,这里都是6。也有的厂家还把时序的第4个延迟tRAS也表示出来，例如：6-6-6-18。 “SPD版次”的原文是JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM，其中的“12”表示JEDEC SPD是1.2版； 最后的参考项是生产厂商设计时采用JEDEC标准情况的有关标记和版本。 17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义！ 答：JEDEC标准中对内存名词的含义如下： Unbuffered DIMM—无缓存的普通桌式内存，一般表示为UDIMM、 DIMM或UNB; DIMM Capacity—内存的总容量，以MB为单位表示。在有的厂家也把模组容量称为DIMM Density。 DIMM Organization—内存模组的结构。以整个模组的数据深度跟数据位宽的形式表示。例如：“128Meg×64”表示模组的数据深度是128Meg，模组的数据宽度是64bit。由此可以推出模组的总容量是128M×64b÷8b/B=1024MB=1GB； SDRAM Density—颗粒的密度，即每个颗粒的总位（bit）数。例如，当SDRAM Density是512Mb时，由16个颗粒组成的模组容量就是512Mb×16÷8b/B=1024MB=1GB；由8个颗粒组成时，模组容量就是512MB。 SDRAM Organization—颗粒结构。是颗粒深度（SDRAM depth）与颗粒位宽的乘积。例如，当SDRAM Organization是64Meg×8时，颗粒密度就是64M×8b=512Mb。在内存业界也把颗粒深度称为颗粒长度，以跟BANK深度相区别； Number of SDRAM—颗粒数； Number of Physical Rank—物理RANK数，即P-BANK数。在本文中简称RANK数； Number of Bank in SDRAM—一个颗粒的逻辑BANK数； SDRAM Packge Type—颗粒的封装类型。 18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？ 答：根据模组组成原理可以知道：如果模组的深度等于颗粒的深度，就是一个RANK；如果模组的深度等于两倍颗粒深度，就是两个RANK。例如，编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。又因为这种模组采用的是K4T1G084QD颗粒。这种颗粒的密度是1024Mb；位宽是8b，因此，颗粒深度是1024Mb÷8b=128M。即模组深度是颗粒深度的两倍，因此，是两个RANK。 此外，从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出RANK数。例如，当颗粒位宽是8b时，模组用了8个颗粒，8×8b=64b，就是一个RANK；如果用了16颗颗粒，16×8b=128b，就是两个RANK。 19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？ 答：模组的面（side）数跟RANK数是两个不同的概念。而且在内存的编号中也都没有反映面数。但是，模组的面，不是一个，就是两个；而目前的RANK数也是这样。因此，用符号表示它们时，很容易混淆。但是，可以很明确地说：内存标签中的“R”是表示RANK,不是表示面数，内存“面”的英文字是Side，如果表示两个面的话面，应该是“2S”才是呀！ 20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？ 答：不是的。“R”表示RANK，这在上面已经解释过了。“×8”就是颗粒位宽是8bit的意思。因为1个RANK是64bit，两个RANK就是128bit，因此，符号“2R×8”就表示这个模组有2个RANK,颗粒的位宽是8b。因此，这个模组用的颗粒是128b÷8b/颗=16颗，而不是8颗。同理，当内存条上的标签标明是“1R×16”时，就表明这个模组是1个RANK；颗粒位宽是16bit。其颗粒数是64b÷16b/颗=4颗。绝不是16颗。 21.内存标签上的Warranty Void是什么意思？ 答：Warranty Void if label Removed的含义是：如果此标签破坏了，将不予保修保换的意思。 22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？ 答：UNB是Unbuffered DIMM的意思，就是没有缓冲、没有ECC的普通桌式内存；SOD是SO-DIMM的意思，就是普通的笔记本电脑内存。在JEDEC的标志中，UNB用“U”表示；SOD用“S”表示。见第16问。 23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？ 答：RoHS是欧盟《电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令》（the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment）的英文缩写。其发布的标准称为RoHS认证，RoHS认证是目前最严格的环境认证之一。欧盟已经在2006年7月1日实施RoHS，届时使用或含有重金属以及多溴二苯醚PBDE、多溴联苯PBB等阻燃剂的电气电子产品将不允许进入欧盟市场。 24. 有害物质是指哪些？ 答：RoHS一共列出六种有害物质，包括：铅Pb，镉Cd，汞Hg，六价铬Cr6+，多溴二苯醚PBDE，多溴联苯PBB。 25.内存标签上的“0820”是什么意思？ 答：说明该产品是2008年第20周生产的。 26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？ 答：P/N是产品编号的意思，主要是说明产品的技术特性。本文就是探讨这个编号的含义的；S/N是该产品系列号的意思,主要是说明该产品的生产时间和序列号。 27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的? 答：你说你的内存颗粒编号是：HYB18T1G802AF-3S，这是英飞凌DDR2-667的颗粒，它的颗粒密度的确是1Gb(不是1GB)，如果有8个颗粒的话，模组的容量是1GB的，如果是16个颗粒就是2GB的了。 在一般情况下，在颗粒的编号中标注的是颗粒的密度，单位为Mb或Gb。在模组编号中只标注模组的深度（是M数或G数）和模组的数据宽度（64b）。模组的容量通过计算才能求出来。计算方法上见第9和第12问。 三．各种常用内存的编号方法 28.三星内存颗粒是如何编号的？ 答：三星内存的颗粒（单个芯片）编号是直接嵌刻在颗粒上的，其编号规则和符号的意义见下图（是我根据厂家官方网站的说明整理的）： 
在上表中只给出了DDR2的速度（Speed）表示方法。 DDR速度的表示方法是： CC:DDR400(200MHz@CL=3,tRCD=3,tRP=3) B3:DDR333(166MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3) A2:DDR266(133MHz@CL=2,tRCD=3,tRP=3) B0:DDR266(133MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3) DDR3的速度（Speed）表示方法是： F7:DDR3-800(400MHz@CL=6,tRCD=6,tRP=6) F8:DDR3-1066(533MHz@CL=7,tRCD=7,tRP=7) H9:DDR3-1333(667MHz@CL=9,tRCD=9,tRP=9) K0:DDR3-1600(800MHz@CL=11,tRCD=11,tRP=11)。 此外，颗粒密度（Density）还有非8的整数倍的表示方法。有33、65、29、57、52、和1K的标记。其意义如下： 33:32M(for128Mb/512Mb)；65:64M(for128Mb/512Mb)； 29:128M(for128Mb/512Mb)；57:256M(for512Mb/2Gb)； 52:512M(for512Mb/2Gb)；1K:1G(for2Gb) ⑴三星DDR内存颗粒编号举例 三星内存颗粒的编号是K4H560838H-UCB3时，“K4H”说明这是一个DDR内存;“56”说明其颗粒密度是256Mb；“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“3”说明是4个BANK;“3”后的“8”说明是SSTL接口,2.5V；“H”说明版本较新。编号最后的“B3”说明这是一个DDR333内存颗粒。 ⑵三星DDR2内存颗粒编号举例 三星内存颗粒的编号是K4T1G084QD-ZCF7时，“K4T”说明这是一个DDR2内存;“1G”说明其颗粒密度是1Gb；“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“Q”说明是SSTL接口,1.8V；“D”说明版本是第5版。编号最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存颗粒，CL=6,质量不如“E7”的。 ⑶三星DDR3内存颗粒编号举例 三星内存颗粒的编号是K4B2G1646B-ZCH9时，“K4B”说明这是一个DDR3内存;“2G”说明其颗粒密度是2Gb；“16”说明颗粒位宽是16bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“6”说明是SSTL接口,1.5V；“B”说明版是第3阪。编号最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存颗粒。 29.三星内存的模组是怎样编号的？ 答：三星（Samsung）内存的模组（内存条）编号规则和符号见下图，该图是我根据厂家官方网站的说明归纳的： 
⑴三星DDR内存模组编号举例： M368L6423HUN-CB3中的“M368L”表示这是三星DDR普通桌用电脑内存,其中的“68”表示模组数据位宽是64bit、184针的UDIMM内存；之后的“64”表示模组的数据深度是64Meg；再往后的“2”表示颗粒有4个BANK；后面的“3”表示颗粒位宽是8位；“HUN”分别表示版次和封装等；最后的“B3”表示这是一个DDR333内存。这种内存的总容量需要通过计算才能知道，容量为64M×64b÷8b/B=512MB。因为UDIMM内存的数据宽度是64b，因此，直接把数据深度乘以8b/B就可以得到总容量。即有64b×8b/B=512MB。下同。 ⑵三星DDR2内存模组编号举例： M378T5663DZ3-CF7中的“M378T”表示这是三星DDR2普通桌用电脑内存，其中的“78”表示传输的数据位是64bit的UDIMM内存；之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg；再往后的“6”表示颗粒有8个BANK；“3”表示颗粒位宽是8bit；“DZ3”分别表示版次和封装等；最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存。因此，容量是256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB。 ⑶DDR3内存模组举例： M378B5673DZ1-CH9中的“M378B”表示这是三星DDR3普通桌用电脑内存，其中的“78”表示传输的数据位是64bit、240针的UDIMM内存；之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg；再往后的“7”表示颗粒有8个BANK3；“3”表示颗粒位宽是8bit；“DZ1”分别表示版次和封装等；最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存。因此，模组的总容量是256M×64÷8b/B=2GB。 30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？ 答：韩国Hynix（海力士）原来是现代（Hyundai）公司所属的一个内存生产厂，当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂，其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此，一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存；而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是Hynix的产品。 以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存，在计算机用的内存中，DDR2和DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是，在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中，仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，见下表所示（根据厂家网站资料，按我的理解归类的）。 以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律 | 含义 | 类型 | 电压 | 密度 | 位宽 | BANK | 接口 | 版本 | 功耗 | 封装 | - | 速度 | 温度 | | SDRAM | HY57 | V | 56 | 8 | 2 | 0 | F | | TP | - | 10s | | | SDRAM | HY57 | V | 65 | 16 | 2 | 0 | A | | TC | - | 75 | | | DDR1 | HY5D | U | 56 | 8 | 2 | 2 | D | | TP | - | D43 | | | DDR1 | HY5D | U | 12 | 4 | 2 | 2 | B | L | T | - | M | |
注；其中的速度，对SDRAM来说：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)； K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)； 15: 15ns(66MHz)。 对DDR来说：有过变动，“D4”代表DDR400，时序为3-4-4；“D43”代表DDR400，时序为3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是时序不同；“L”代表DDR200；“4”代表250MHz；“5”代表200MHz。 其他项的解释： 类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM内存；“5D”代表DDR1内存； 电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPLY）：对SDRAM和DDR1： 空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V； 密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）： 对SDRAM来说，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。 对DDR1来说，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。 根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如，密度标以“12”时，如果有8个颗粒，模组容量就是512MB；如果有16个颗粒，容量就是1GB。 位宽：是指颗粒的位宽（datawidth）： “4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。 BANK：是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。 接口：是指颗粒的电气接口（Interface）。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2； 版本：是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版；二版后依次用A、B、C、D等表示； 功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗电；“L”表示低功耗； 封装：芯片发封装方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP； 速度；速度（speed）是指颗粒的频率，说明见表注。 温度：温度（Temperature），“I”是工业温度；“E”是扩展温度。但是，在编号中经常没有这一项。 31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？ 答：以“H5”为前缀的内存颗粒命名方法是Hynix（海力士）完全从现代（Hyundai）独离出来以后的命名方法，比较规范。因为编号的位数相同，就不致引起误解,下表是2008年的编号举例： 
在表中各个符号的含义:前缀中的“H”代表Hynix；“5”代表SDRAM；但是，应该注意的是“位宽”中的“6”是代表16位的。密度中的“64”是64M / 4K REF / 64ms；“12”是 128M / 4K REF / 64ms；“25”是 256M / 8K REF / 64ms；“51”是 512M / 8K REF / 64ms 。 电压和处理工艺中的“Q”代表VDD=1.5V&VDDQ=1.5V。封装类型中的“F”代表FBGA。封材中的“P”代表铅；“R”代表卤素类。能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8xmm））．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）．速度：（D4＝DDR4--；D4=DDR4-4-4；J＝DDR；M＝DDR--；K＝DDR66A；H＝DDR66B；L＝DDR）4．工作温度：（I=工业常温（-4-85度）；E=扩展温度。其他可参看前表。 32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？ 答：此类模组类型很多，现将普通用户常用的两种DIMM168针内存介绍如下： ⑴以HYM7为前缀的内存 | 前缀 | 数据宽度 | 深度 | 刷新 | BANK | - | 速度 | 说明 | | HYM7V | 64 | 8 | 0 | 1 | | | 64MB，PC66，168pin | | HYM7V | 65 | 8 | 0 | 1 | | | 64MB，PC100，168pin | | HYM7V | 63 | 16 | 0 | 1 | | | 128MB，PC133，168pin | | HYM7V | 65 | 4 | 0 | 0 | | 10 | 32MB，PC100，168pin |
“HYM7V”是海力士早期的SDRAM内存模组； “64”、“65”和“63”都表示数据位宽是64bit，但是，频率不同； “深度”是指模组的深度，有“1”、“2”、“4”、“8”和“16”等，是Meg数； “刷新”是指刷新速度。“0”、“1”、“2”和“3”分别代表1K、2K、4K和8K； “BANK”代表每个颗粒的逻辑BANK数。“0”是2BANK；“1”是4BANK； 模组容量=数据位宽（b）×深度÷8b/B ⑵以“MYM71”为前缀的海力士模组 [table][tr][td=1,1,84]前缀[/td][td=1,1,90]数据宽度[/td][td=1,1,45]型[/td][td=1,1,60]深度[/td][td=1,1,60][font=楷 | 
|Archiver|小黑屋|宽带技术网
|网站地图
发表于 2009-10-30 22:52:52
发表于 2009-10-31 07:15:26